Disco Duro M.2 Samsung 990 Evo Plus Series 1TB PCIe Gen5 x2 NVMe SSD

• Factor de forma: M.2 (2280)
• Capacidad: 1 TB, 2 TB, 4 TB
• Velocidad de lectura secuencial: Hasta 7.250 MB/s
• Velocidad de escritura secuencial: Hasta 6.300 MB/s
• Código de modelo (capacidad): MZ-V9S1T0BW (1 TB), MZ-V9S2T0BW (2 TB), MZ-V9S4T0BW (4 TB)
• Aplicación: Equipos cliente
• Interfaz: PCIe® Gen 4.0 x4 / 5.0 x2 NVMe鈩
• Dimensiones (ancho x alto x profundidad): 80,15 x 22,15 x 2,38 mm
• Peso: Máximo 9,0 g
• Memoria de almacenamiento: Samsung V-NAND TLC
• Controlador: Controlador interno de Samsung
• Memoria caché: HMB (búfer de memoria de host)

Características especiales:

• Compatibilidad con TRIM: Soportado
• Soporte de S.M.A.R.T: Soportado
• GC (Recolección de basura): Algoritmo de recolección automática
• Soporte de encriptación: Cifrado AES de 256 bits (Clase 0) TCG/Opal, IEEE1667
• Soporte de WWN: No se admite
• Compatibilidad con el modo de suspensión del dispositivo: Sí

Rendimiento:

• Lectura secuencial: 1 TB: hasta 7.150 MB/s, 2 TB: hasta 7.250 MB/s, 4 TB: hasta 7.250 MB/s
• Escritura secuencial: 1 TB: hasta 6.300 MB/s, 2 TB: hasta 6.300 MB/s, 4 TB: hasta 6.300 MB/s
• Lectura aleatoria (4 KB, QD32): 1 TB: hasta 850.000 IOPS, 2 TB: hasta 1.000.000 IOPS, 4 TB: hasta 1.050.000 IOPS
• Escritura aleatoria (4 KB, QD32): 1 TB: hasta 1.350.000 IOPS, 2 TB: hasta 1.350.000 IOPS, 4 TB: hasta 1.400.000 IOPS

Medio ambiente:

• Consumo de energía (nivel del sistema): 1 TB: Promedio: lectura 4,3 W / escritura 4,2 W, 2 TB: Promedio: lectura 4,6 W / escritura 4,2 W, 4 TB: Promedio: lectura 5,5 W / escritura 4,8 W
• Consumo de energía (inactivo): 1 TB: Típico 60 mW, 2 TB: Típico 60 mW, 4 TB: Típico 60 mW
• Consumo de energía (suspensión del dispositivo): 1 TB: 5 mW, 2 TB: 5 mW, 4 TB: 5 mW
• Voltaje permitido: 3,3 V ± 5 %
• Fiabilidad (MTBF): 1,5 millones de horas
• Temperatura de funcionamiento: 0 – 70 °C
• Shock: 1.500 g y 0,5 ms (medio sinusoidal)

Accesorios:

• Kit de instalación: No disponible