Características
- Tipo de memoria con búfer – Registered (buffered)
- On-Die ECC – Si
- Latencia CAS – 46
- Memoria interna – 24 GB
- Diseño de memoria (módulos x tamaño) – 1 x 24 GB
- Tipo de memoria interna – DDR5
- Rango de memoria de transferencia de datos – 5600 MT/s
- Componente para – PC/servidor
- Forma de factor de memoria – 288-pin DIMM
- ECC – No
- Clasificación de memoria – 1
- Voltaje de memoria – 1.1 V
- Tiempo de ciclo de fila – 48 ns
- Tiempo de actualización de ciclo de fila – 295 ns
- Tiempo activo en fila – 32 ns
- Perfil SPD – Si
- Programador de potencia de voltaje (VPP) – 1,8 V
- Placa de plomo – Oro
- Estándar JEDEC – Si
Condiciones ambientales
- Intervalo de temperatura operativa – 0 – 95 °C
- Intervalo de temperatura de almacenaje – -55 – 100 °C
Detalles técnicos
- Certificados de conformidad – RoHS
Sostenibilidad
- No contiene – Halógeno
Peso y dimensiones
- Ancho – 133,3 mm
- Altura – 31,2 mm
Memoria DDR5 Kingston KSM56R46BS8PMI-24MBI 24GB 1x24GB 5600MHz CL46
La memoria DDR5 Kingston KSM56R46BS8PMI-24MBI es un módulo ECC Registered de 24 GB con velocidad de 5600 MHz y latencia CL46, ideal para sistemas profesionales y servidores que requieren alta capacidad y estabilidad. Con tecnología DDR5 avanzada y corrección de errores On-Die ECC, garantiza un rendimiento eficiente y seguro. Compatible con estándares JEDEC, opera a un bajo voltaje de 1.1V para un menor consumo energético.
Módulo de 24 GB con configuración 1Rx8 y arquitectura 3G x 80-bit (x40 ECC), diseñado para cargas intensas y sistemas que demandan gran memoria.
Rendimiento y latencia
Velocidad DDR5-5600 MT/s con latencia CL46 (46-45-45), programada según estándar JEDEC, que proporciona un equilibrio óptimo entre velocidad y estabilidad.
Tecnología ECC avanzada
Incluye corrección de errores On-Die ECC y dos subcanales I/O independientes, lo que permite detectar y corregir fallos automáticamente para mejorar la fiabilidad del sistema.
Voltaje y eficiencia energética
Opera a un voltaje típico de 1.1 V para VDD y VDDQ, reduciendo consumo y calor. Otros voltajes: VPP 1.8 V y VDDSPD entre 1.8 V y 2.0 V.
Componentes y fabricación
Memoria DRAM fabricada con chips Micron B-Die. Controlador RCD de IDT/Renesas y PMIC de MPS, garantizando máxima calidad y estabilidad. Compatible con normativas RoHS y libre de halógenos, con temperatura de operación de 0°C a 95°C.




















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